Важное объявление!
У Нас Все раздачи мультитрекерные, при нуле пиров в релизах, можете смело вставать на закачку!
 
Автор Сообщение

HUNTER

Стаж:
4 года 10 месяцев
Сообщений:
65511

Репутация: 101

[+] [-]
Вне форума [Профиль] [ЛС]


Ранее в этом месяце прошёл ежегодный форум компании TSMC Supply Chain Management Forum с участием клиентов и партнёров производителя. Руководству компании было чем поделиться с присутствующими. К этому моменту TSMC отрапортовала о практически полной готовности к внедрению техпроцесса с нормами 10 нм с использованием FinFET транзисторов. Также компания провела успешный эксперимент с выпуском 7-нм массива памяти SRAM. Опытное производство с использованием 7-нм техпроцесса обещает стартовать в начале 2017 года, чтобы уже в 2018 году появилась возможность приступить к массовому производству 7-нм микросхем. Но самым интересным моментом доклада президента и соисполнительного директора TSMC — Марка Лю (Mark Liu) — стало утверждение о старте разработки 5-нм техпроцесса.
Соисполнительный директор TSMC Марк Лю (Mark Liu, справа на фото) (Photo: Hung Yu-fang, Taipei Times)
График внедрения техпроцесса с нормами 5 нм пока не утверждён. Также компания ещё не определилась с возможностью задействовать для выпуска 5-нм решений сканеров с излучением в крайнем ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Производитель EUV-сканеров — компания ASML — выпускает опытные сканеры с мощностью излучения не выше 90 Вт и готовит модификации со 125-Вт излучателями. Для массового выпуска чипов с экономически оправданными вложениями требуются источники EUV-излучения мощностью от 250 Вт и выше. Подобные сканеры появятся не раньше 2018 года. Ранний запуск разработки 5-нм техпроцесса в компании TSMC можно расценивать как негативный сценарий по отношению к перспективам EUV-оборудования.
Как ранее признались в TSMC, для выпуска 10-нм микросхем необходимо использовать по три фотошаблона на критически важные слои. Для производства решений с нормами менее 7 нм с использованием традиционных 193-нм сканеров и иммерсионной литографии понадобится уже от четырёх до восьми фотошаблонов на каждый слой или от 60 до 80 фотошаблонов на каждую микросхему. Это будут очень дорогие микросхемы. Опытным путём исследователи из бельгийского центра IMEC доказали, что даже частичное использование в процессе производства EUV-сканеров с недостаточно мощным источником излучения может минимум на треть снизить количество задействованных для производства фотошаблонов. По всей вероятности, компания TSMC для выпуска 5-нм чипов также будет рассматривать вопрос комбинированного использования 193-нм сканеров и EUV-сканеров.

_________________
Показать сообщения:    

Текущее время: Сегодня 12:29

Часовой пояс: GMT



Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы