Появились новые детали о техпроцессе 22-нм FD-SOI :: Ивановский Торрент трекер
Важное объявление!
У Нас Все раздачи мультитрекерные, при нуле пиров в релизах, можете смело вставать на закачку!
 
Автор Сообщение

HUNTER

Стаж:
4 года 11 месяцев
Сообщений:
66098

Репутация: 101

[+] [-]
Вне форума [Профиль] [ЛС]


О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы сообщали совсем недавно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-первых, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) в начале 2016 года, а массовое производство начнётся ближе к концу того же года. Технология, имеющая ряд преимуществ, будет использоваться, главным образом, для малых чипов, выпускаемых в больших объёмах. Разработчики сложных интегральных схем вряд ли будут заинтересованы в использовании 22-нм FD-SOI.
Техпроцесс, разрабатываемый в стенах GlobalFoundries, будет использовать 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, а также FEOL (front-end-of-line, отдельные транзисторы и другие элементы) того же разработчика, но 14-нанометровые. Следует знать, что габариты кристалла определяются именно техпроцессом BEOL. Как и вышеупомянутые технологии STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет являть собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как известно, требуют меньше слоёв металлизации и более простые фотомаски, в сравнении с техпроцессами класса FinFET. В отличие от версии процесса STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries не потребует использования мультипаттернинга (double-patterning, технология увеличения плотности размещения элементов), что существенно упростит проектирование чипов по этой технологии.
Поскольку 22-нм FD-SOI использует 28-нанометровые BEOL, размер кристалла у чипов будет аналогичен размеру кристаллов микросхем, производимых с использованием обычного 28-нанометрового техпроцесса. Следовательно, для производителей сложных и габаритных интегральных схем смысла в переходе на описываемый техпроцесс будет немного, поскольку это лишь увеличит себестоимость продукции — подложки FD-SOI стоят дороже обычных кремниевых. Но разработчики схем, ориентированных на дешёвые решения с низким уровнем энергопотребления новой технологией заинтересуются, поскольку стоимость разработки останется практически прежней, благодаря планарности техпроцесса, а производительность при неизменной экономичности можно будет существенно поднять.
Изначально GlobalFoundries предложит новый техпроцесс клиентам, уже использующим технологии SOI. Со временем он может стать экономически интересным для создателей микросхем для носимых устройств, «Интернета вещей» и других аналогичных решений. Следует отметить, что разрабатываемый GlobalFoundries техпроцесс 22-нм FD-SOI несовместим ни с 14-нм, ни с 28-нм техпроцессами FD-SOI, поэтому клиентам таких компаний, как STMicroelectronics и Samsung (лицензировавшей 28-нм FD-SOI у STM), желающим воспользоваться технологиями GlobalFoundries, придётся адаптировать к ним дизайн своих разработок.

_________________
Показать сообщения:    

Текущее время: Сегодня 09:08

Часовой пояс: GMT



Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы