Ивановский Торрент трекер
Яндекс.Погода
 

[Цитировать]
HUNTER


О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы сообщали совсем недавно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-первых, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) в начале 2016 года, а массовое производство начнётся ближе к концу того же года. Технология, имеющая ряд преимуществ, будет использоваться, главным образом, для малых чипов, выпускаемых в больших объёмах. Разработчики сложных интегральных схем вряд ли будут заинтересованы в использовании 22-нм FD-SOI.
Техпроцесс, разрабатываемый в стенах GlobalFoundries, будет использовать 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, а также FEOL (front-end-of-line, отдельные транзисторы и другие элементы) того же разработчика, но 14-нанометровые. Следует знать, что габариты кристалла определяются именно техпроцессом BEOL. Как и вышеупомянутые технологии STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет являть собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как известно, требуют меньше слоёв металлизации и более простые фотомаски, в сравнении с техпроцессами класса FinFET. В отличие от версии процесса STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries не потребует использования мультипаттернинга (double-patterning, технология увеличения плотности размещения элементов), что существенно упростит проектирование чипов по этой технологии.
Поскольку 22-нм FD-SOI использует 28-нанометровые BEOL, размер кристалла у чипов будет аналогичен размеру кристаллов микросхем, производимых с использованием обычного 28-нанометрового техпроцесса. Следовательно, для производителей сложных и габаритных интегральных схем смысла в переходе на описываемый техпроцесс будет немного, поскольку это лишь увеличит себестоимость продукции — подложки FD-SOI стоят дороже обычных кремниевых. Но разработчики схем, ориентированных на дешёвые решения с низким уровнем энергопотребления новой технологией заинтересуются, поскольку стоимость разработки останется практически прежней, благодаря планарности техпроцесса, а производительность при неизменной экономичности можно будет существенно поднять.
Изначально GlobalFoundries предложит новый техпроцесс клиентам, уже использующим технологии SOI. Со временем он может стать экономически интересным для создателей микросхем для носимых устройств, «Интернета вещей» и других аналогичных решений. Следует отметить, что разрабатываемый GlobalFoundries техпроцесс 22-нм FD-SOI несовместим ни с 14-нм, ни с 28-нм техпроцессами FD-SOI, поэтому клиентам таких компаний, как STMicroelectronics и Samsung (лицензировавшей 28-нм FD-SOI у STM), желающим воспользоваться технологиями GlobalFoundries, придётся адаптировать к ним дизайн своих разработок.
0 человек читают эту тему: 0 пользователей, 0 скрытых пользователей, 0 гостей

Показать сообщения:    

Текущее время: 23-Авг 16:46

Часовой пояс: UTC - 1


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы

!ВНИМАНИЕ!
Сайт не предоставляет электронные версии произведений, а занимается лишь коллекционированием и каталогизацией ссылок, присылаемых и публикуемых на форуме нашими читателями. Если вы являетесь правообладателем какого-либо представленного материала и не желаете, чтобы ссылка на него находилась в нашем каталоге, свяжитесь с нами, и мы незамедлительно удалим ее. Файлы для обмена на трекере предоставлены пользователями сайта, и администрация не несет ответственности за их содержание. Просьба не заливать файлы, защищенные авторскими правами, а также файлы нелегального содержания!